兰州大学学报（自然科学版）
蘭州大學學報（自然科學版）
란주대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF LANZHOU UNIVERSITY（NATURAL SCIENCES）
2005年
3期
75-78
,共4页
刘春明%葛世慧%姜丽仙%寇晓明%李斌生%池俊红%王新伟%李成贤
劉春明%葛世慧%薑麗仙%寇曉明%李斌生%池俊紅%王新偉%李成賢
류춘명%갈세혜%강려선%구효명%리빈생%지준홍%왕신위%리성현
不连续磁性金属/绝缘体多层膜%微结构%隧道磁电阻
不連續磁性金屬/絕緣體多層膜%微結構%隧道磁電阻
불련속자성금속/절연체다층막%미결구%수도자전조
用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代表SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3 nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4 nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25Ni75层不连续时,lnR基本上正比于T-1/2,表明导电机制为热激发的隧穿导电;在t2=2.1 nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%.对[SiO2(1.8 nm)/Fe25Ni75(1.6 nm)]N系统,发现磁电阻先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.
用射頻磁控濺射技術製備瞭[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多層膜繫列(其中t1和t2分彆代錶SiO2層和Fe25Ni75層的厚度,N代錶層數).研究髮現,對[SiO2(3.3 nm)/Fe25Ni75(t2)]10繫統,噹Fe25Ni75層厚度小于2.4 nm時,Fe25Ni75層從連續變為不連續;噹Fe25Ni75層不連續時,lnR基本上正比于T-1/2,錶明導電機製為熱激髮的隧穿導電;在t2=2.1 nm時,隧道磁電阻(TMR)有極大值,為-0.64%.對[SiO2(1.8 nm)/Fe25Ni75(1.6 nm)]N繫統,髮現磁電阻先隨著層數的增加而增加,然後趨于飽和.
용사빈자공천사기술제비료[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N다층막계렬(기중t1화t2분별대표SiO2층화Fe25Ni75층적후도,N대표층수).연구발현,대[SiO2(3.3 nm)/Fe25Ni75(t2)]10계통,당Fe25Ni75층후도소우2.4 nm시,Fe25Ni75층종련속변위불련속;당Fe25Ni75층불련속시,lnR기본상정비우T-1/2,표명도전궤제위열격발적수천도전;재t2=2.1 nm시,수도자전조(TMR)유겁대치,위-0.64%.대[SiO2(1.8 nm)/Fe25Ni75(1.6 nm)]N계통,발현자전조선수착층수적증가이증가,연후추우포화.
