半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2005年
12期
60-62
,共3页
功率单片放大器%器件模型%砷化镓
功率單片放大器%器件模型%砷化鎵
공솔단편방대기%기건모형%신화가
介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立.X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50 Ω,单片性能达到输出功率≥5W,附加效率≥33%,功率增益≥13.5dB,增益波动≤0.3dB,输入驻波比≤2?1.
介紹瞭X波段功率單片放大器的設計、製造、測試等技術,以及器件的大信號模型的建立.X波段功率單片放大器採用兩級放大,經過功率分配和功率閤成,輸入輸齣匹配為50 Ω,單片性能達到輸齣功率≥5W,附加效率≥33%,功率增益≥13.5dB,增益波動≤0.3dB,輸入駐波比≤2?1.
개소료X파단공솔단편방대기적설계、제조、측시등기술,이급기건적대신호모형적건립.X파단공솔단편방대기채용량급방대,경과공솔분배화공솔합성,수입수출필배위50 Ω,단편성능체도수출공솔≥5W,부가효솔≥33%,공솔증익≥13.5dB,증익파동≤0.3dB,수입주파비≤2?1.
