分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜
분자속외연방법생장p형양화자박막
p-type ZnO Thin Films Prepared by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2004年 4期 460-462 ,共3页

    矫淑杰%梁红伟%吕有明%申德振%颜建锋%张振中%张吉英%范希武

    교숙걸%량홍위%려유명%신덕진%안건봉%장진중%장길영%범희무

    氧化锌薄膜%p型掺杂%一氧化氮%射频等离子体%分了束外延 氧化鋅薄膜%p型摻雜%一氧化氮%射頻等離子體%分瞭束外延
    양화자박막%p형참잡%일양화담%사빈등리자체%분료속외연
    用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c-平面上外延生长了p型氧化锌薄膜.在实验中采用高纯金属锌作为zn源、NO作为O源和掺杂源,通过射频等离子体激活进行生长.在生长温度300℃,NO气体流量为1.0 sccm,射频功率为300W的条件下,获得了重复性很好的p型znO,且载流子浓度最大可达1.2×1019cm-3,迁移率为0.053 5 cm2·V-1·s-1,电阻率为9.5 Ω·cm.
    용등리자보조분자속외연(P-MBE)적방법,재람보석c-평면상외연생장료p형양화자박막.재실험중채용고순금속자작위zn원、NO작위O원화참잡원,통과사빈등리자체격활진행생장.재생장온도300℃,NO기체류량위1.0 sccm,사빈공솔위300W적조건하,획득료중복성흔호적p형znO,차재류자농도최대가체1.2×1019cm-3,천이솔위0.053 5 cm2·V-1·s-1,전조솔위9.5 Ω·cm.
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