微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2005年
1期
11-14
,共4页
李煜%李瑞伟%王纪民%付玉霞
李煜%李瑞偉%王紀民%付玉霞
리욱%리서위%왕기민%부옥하
干法刻蚀%氮化硅刻蚀%半导体工艺%工艺设备模型
榦法刻蝕%氮化硅刻蝕%半導體工藝%工藝設備模型
간법각식%담화규각식%반도체공예%공예설비모형
通过对氮化硅薄膜干法刻蚀工艺实验结果的测量,得到硅片表面非均匀性分布的具体测量数据,并对这种现象的成因进行了定性的理论分析,为下一步建立刻蚀工艺设备模型准备了充足的实验数据.
通過對氮化硅薄膜榦法刻蝕工藝實驗結果的測量,得到硅片錶麵非均勻性分佈的具體測量數據,併對這種現象的成因進行瞭定性的理論分析,為下一步建立刻蝕工藝設備模型準備瞭充足的實驗數據.
통과대담화규박막간법각식공예실험결과적측량,득도규편표면비균균성분포적구체측량수거,병대저충현상적성인진행료정성적이론분석,위하일보건립각식공예설비모형준비료충족적실험수거.
