微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
1期
25-27,54
,共4页
微波辐射%硫化铅纳米晶%形状控制合成%十六烷基三甲基溴化铵
微波輻射%硫化鉛納米晶%形狀控製閤成%十六烷基三甲基溴化銨
미파복사%류화연납미정%형상공제합성%십륙완기삼갑기추화안
以Pb(NO3)2、硫代乙酰胺(TAA)为原料,通过改变十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的用量控制合成了四方形PbS纳米晶,并用XRD、TEM进行了表征.结果表明,当CTAB质量浓度达10 g/L时,所获产品全为四方形纳米晶.形状控制微波合成四方形PbS纳米晶的机理可能为:首先CTAB和Pb2+结合形成R-N:Pb-Br白色前驱沉淀,然后该前驱沉淀与S2结合,在一定温度和时间热分解形成四方形PbS纳米晶.前驱体中的CTAB烷基长链存在阻碍作用,导致PbS小晶粒不能快速聚集而结晶生长,有利形成四方形的纳米PbS.
以Pb(NO3)2、硫代乙酰胺(TAA)為原料,通過改變十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)的用量控製閤成瞭四方形PbS納米晶,併用XRD、TEM進行瞭錶徵.結果錶明,噹CTAB質量濃度達10 g/L時,所穫產品全為四方形納米晶.形狀控製微波閤成四方形PbS納米晶的機理可能為:首先CTAB和Pb2+結閤形成R-N:Pb-Br白色前驅沉澱,然後該前驅沉澱與S2結閤,在一定溫度和時間熱分解形成四方形PbS納米晶.前驅體中的CTAB烷基長鏈存在阻礙作用,導緻PbS小晶粒不能快速聚集而結晶生長,有利形成四方形的納米PbS.
이Pb(NO3)2、류대을선알(TAA)위원료,통과개변십륙완기삼갑기추화안(CTAB)적용량공제합성료사방형PbS납미정,병용XRD、TEM진행료표정.결과표명,당CTAB질량농도체10 g/L시,소획산품전위사방형납미정.형상공제미파합성사방형PbS납미정적궤리가능위:수선CTAB화Pb2+결합형성R-N:Pb-Br백색전구침정,연후해전구침정여S2결합,재일정온도화시간열분해형성사방형PbS납미정.전구체중적CTAB완기장련존재조애작용,도치PbS소정립불능쾌속취집이결정생장,유리형성사방형적납미PbS.
