4H-SiC MESFET结构与直流特性研究
4H-SiC MESFET결구여직류특성연구
Study of Structures and DC Characteristics on 4H-SiC MESFET
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2008年 1期 12-14,32 ,共4页

    徐俊平%杨银堂%贾护军%张娟

    서준평%양은당%가호군%장연

    4H-SiC金属外延半导体场效应晶体管%凹栅%埋栅%表面陷阱 4H-SiC金屬外延半導體場效應晶體管%凹柵%埋柵%錶麵陷阱
    4H-SiC금속외연반도체장효응정체관%요책%매책%표면함정
    运用二维器件模拟器ISE TCAD对4H-SiC MESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响.与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提高4H-SiC MESFET器件的输出功率起到一定的作用.
    운용이유기건모의기ISE TCAD대4H-SiC MESFET불동결구적직류특성진행료모의,중점고필표면함정대직류특성적영향.여요책결구상비,매책결구적기건강저료표면함정대전류적영향,포화루전류제고료37%,이차역치전압적절대치증대、과도승고,대제고4H-SiC MESFET기건적수출공솔기도일정적작용.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문