量子光学学报
量子光學學報
양자광학학보
ACTA SINICA QUANTUM OPTICA
2006年
3期
184-186
,共3页
贺利军%程兴奎%张健%李华
賀利軍%程興奎%張健%李華
하리군%정흥규%장건%리화
GaAs/AlGaAs%超晶格%光致发光
GaAs/AlGaAs%超晶格%光緻髮光
GaAs/AlGaAs%초정격%광치발광
在室温下测量了GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波长λ=761 nm处存在一较强的发光光峰,此发光峰目前尚未见报道.经理论分析表明,此峰是量子阱中的第一激发态电子与受主空穴复合发光.实验还观测到在λ=786 nm处,λ=798 nm 处和λ=824 nm处分别存在一发光峰,分析表明λ=786 nm处的发光峰为量子阱阱中费米能级附近的电子与轻空穴复合发光;λ=798 nm处的发光峰为量子阱内的基态电子到轻空穴的复合发光;λ=824 nm处的发光峰为阱中激子复合复合发光.理论计算与实验结果符合的很好.
在室溫下測量瞭GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光緻髮光,髮現在波長λ=761 nm處存在一較彊的髮光光峰,此髮光峰目前尚未見報道.經理論分析錶明,此峰是量子阱中的第一激髮態電子與受主空穴複閤髮光.實驗還觀測到在λ=786 nm處,λ=798 nm 處和λ=824 nm處分彆存在一髮光峰,分析錶明λ=786 nm處的髮光峰為量子阱阱中費米能級附近的電子與輕空穴複閤髮光;λ=798 nm處的髮光峰為量子阱內的基態電子到輕空穴的複閤髮光;λ=824 nm處的髮光峰為阱中激子複閤複閤髮光.理論計算與實驗結果符閤的很好.
재실온하측량료GaAs/Al0.3Ga0.7As초정격적광치발광,발현재파장λ=761 nm처존재일교강적발광광봉,차발광봉목전상미견보도.경이론분석표명,차봉시양자정중적제일격발태전자여수주공혈복합발광.실험환관측도재λ=786 nm처,λ=798 nm 처화λ=824 nm처분별존재일발광봉,분석표명λ=786 nm처적발광봉위양자정정중비미능급부근적전자여경공혈복합발광;λ=798 nm처적발광봉위양자정내적기태전자도경공혈적복합발광;λ=824 nm처적발광봉위정중격자복합복합발광.이론계산여실험결과부합적흔호.
