微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
4期
400-402,406
,共4页
刘建%石新智%林海%王高峰
劉建%石新智%林海%王高峰
류건%석신지%림해%왕고봉
三栅MOSFET%阈值电压%数值模拟
三柵MOSFET%閾值電壓%數值模擬
삼책MOSFET%역치전압%수치모의
根据三栅(TG)MOSFET二维数值模拟的结果,分析了TG MOSFET中的电势分布,得出了在硅体与掩埋层接触面的中心线上的电势随栅压变化的关系;通过数学推导,给出了基于物理模型的阈值电压的解析表达式;并由此讨论了多晶硅栅掺杂浓度、硅体中掺杂浓度、硅体的宽度和高度以及栅氧化层厚度对阈值电压的影响;得出在TG MOSFET器件的阈值电压设计时,应主要考虑多晶硅栅掺杂浓度、硅体中掺杂浓度和硅体的宽度等参数的结论.
根據三柵(TG)MOSFET二維數值模擬的結果,分析瞭TG MOSFET中的電勢分佈,得齣瞭在硅體與掩埋層接觸麵的中心線上的電勢隨柵壓變化的關繫;通過數學推導,給齣瞭基于物理模型的閾值電壓的解析錶達式;併由此討論瞭多晶硅柵摻雜濃度、硅體中摻雜濃度、硅體的寬度和高度以及柵氧化層厚度對閾值電壓的影響;得齣在TG MOSFET器件的閾值電壓設計時,應主要攷慮多晶硅柵摻雜濃度、硅體中摻雜濃度和硅體的寬度等參數的結論.
근거삼책(TG)MOSFET이유수치모의적결과,분석료TG MOSFET중적전세분포,득출료재규체여엄매층접촉면적중심선상적전세수책압변화적관계;통과수학추도,급출료기우물리모형적역치전압적해석표체식;병유차토론료다정규책참잡농도、규체중참잡농도、규체적관도화고도이급책양화층후도대역치전압적영향;득출재TG MOSFET기건적역치전압설계시,응주요고필다정규책참잡농도、규체중참잡농도화규체적관도등삼수적결론.
