SiSiC陶瓷衬底上多晶硅薄膜的结构
SiSiC도자츤저상다정규박막적결구
THE POLYCRYSTALLINE SILICON THIN-FILM ON SiSiC CERAMIC SUBSTRATE
  • 万方数据
    太阳能学报 태양능학보
    ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
    2006年 9期 915-918 ,共4页

    马丽芬%许颖%任丙彦%勾宪芳%王文静%万之坚%李海峰

    마려분%허영%임병언%구헌방%왕문정%만지견%리해봉

    RTCVD%SiSiC%多晶硅%薄膜 RTCVD%SiSiC%多晶硅%薄膜
    RTCVD%SiSiC%다정규%박막
    采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次.采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积外延的表面形貌和薄膜晶向,实验发现在RTCVD工艺中生长的多晶硅薄膜结构致密、晶粒较大,为制备低成本的陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳电池奠定了基础.
    채용쾌속열화학기상침적(RTCVD)법재Si-SiC도자츤저상직접침적다정규박막적연구,속국내수차.채용SEM화XRD량충측시방법분석료침적외연적표면형모화박막정향,실험발현재RTCVD공예중생장적다정규박막결구치밀、정립교대,위제비저성본적도자츤저다정규박막태양전지전정료기출.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문