功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2007年
5期
449-452
,共4页
张辉%滕蛟%于广华%吴杏芳%朱逢吾
張輝%滕蛟%于廣華%吳杏芳%硃逢吾
장휘%등교%우엄화%오행방%주봉오
各向异性磁电阻%AMR元件%非均匀退磁场
各嚮異性磁電阻%AMR元件%非均勻退磁場
각향이성자전조%AMR원건%비균균퇴자장
采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件.测量了NiFe元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,理论和实验符合.
採用磁控濺射製備瞭NiFe各嚮異性磁電阻(AMR)薄膜,經過光學曝光及離子刻蝕將NiFe薄膜製成瞭寬度w=20μm、厚度t=20nm、長度l=2.5mm的AMR元件.測量瞭NiFe元件的磁電阻效應.攷慮沿寬度方嚮退磁場的非均勻性,計算瞭磁電阻比率.結果錶明,理論和實驗符閤.
채용자공천사제비료NiFe각향이성자전조(AMR)박막,경과광학폭광급리자각식장NiFe박막제성료관도w=20μm、후도t=20nm、장도l=2.5mm적AMR원건.측량료NiFe원건적자전조효응.고필연관도방향퇴자장적비균균성,계산료자전조비솔.결과표명,이론화실험부합.
