微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
3期
146-149,158
,共5页
激光二极管%GaAsP/AlGaAs量子阱%张应变量子阱%金属有机气相外延(MOCVD)%电光效率
激光二極管%GaAsP/AlGaAs量子阱%張應變量子阱%金屬有機氣相外延(MOCVD)%電光效率
격광이겁관%GaAsP/AlGaAs양자정%장응변양자정%금속유궤기상외연(MOCVD)%전광효솔
从理论上设计优化了高效率808 nm GaAsP/AlGaAs张应变量子阱激光二极管外延材料的量子阱结构和波导结构参数,并采用低压金属有机气相外延技术实验制备了外延材料.将制作的芯片解理成不同腔长,测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.82 cm-1和93.6 %.把腔长为900 μm的单巴条芯片封装在热传导热沉上,器件在准连续工作条件下最大电光效率达到60.5%相应的抖率效率和输出光功率分别为1.28 W/A和74.9 W.器件测试结果表明,采用优化的GaAsP/AlGaAs张应变量子阱和宽波导结构,可以有效提高器件的电光效率.
從理論上設計優化瞭高效率808 nm GaAsP/AlGaAs張應變量子阱激光二極管外延材料的量子阱結構和波導結構參數,併採用低壓金屬有機氣相外延技術實驗製備瞭外延材料.將製作的芯片解理成不同腔長,測試得到外延材料的內損耗繫數和內量子效率分彆為0.82 cm-1和93.6 %.把腔長為900 μm的單巴條芯片封裝在熱傳導熱沉上,器件在準連續工作條件下最大電光效率達到60.5%相應的抖率效率和輸齣光功率分彆為1.28 W/A和74.9 W.器件測試結果錶明,採用優化的GaAsP/AlGaAs張應變量子阱和寬波導結構,可以有效提高器件的電光效率.
종이론상설계우화료고효솔808 nm GaAsP/AlGaAs장응변양자정격광이겁관외연재료적양자정결구화파도결구삼수,병채용저압금속유궤기상외연기술실험제비료외연재료.장제작적심편해리성불동강장,측시득도외연재료적내손모계수화내양자효솔분별위0.82 cm-1화93.6 %.파강장위900 μm적단파조심편봉장재열전도열침상,기건재준련속공작조건하최대전광효솔체도60.5%상응적두솔효솔화수출광공솔분별위1.28 W/A화74.9 W.기건측시결과표명,채용우화적GaAsP/AlGaAs장응변양자정화관파도결구,가이유효제고기건적전광효솔.
