稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2011年
3期
388-393
,共6页
涂凡%苏小平%张峰燚%黎建明%丁国强%王思爱
塗凡%囌小平%張峰燚%黎建明%丁國彊%王思愛
도범%소소평%장봉일%려건명%정국강%왕사애
数值模拟%垂直梯度凝固技术%GaAs%固液界面%热应力
數值模擬%垂直梯度凝固技術%GaAs%固液界麵%熱應力
수치모의%수직제도응고기술%GaAs%고액계면%열응력
采用专业晶体生长数值模拟软件CrysMas,模拟了垂直梯度凝固法(VGF)生长4英寸GaAs单晶过程中的固液界面形状,发现晶体在生长过程中固液界面形状经历了由凹到凸的变化.数值模拟结果表明熔体中和晶体中的轴向温度梯度之比小于0.4时,固液界面为凸向熔体,与理论推导结果一致.模拟了晶体生长过程中固液界面附近的晶体中的热应力值,发现固液界面为平界面时晶体中的热应力具有最小值.推导计算了VGF GaAs单晶生长过程中固液界面凹(凸)度的临界值,当固液界面凹(凸)度小于该值时,晶体中的热应力低于临界剪切应力.
採用專業晶體生長數值模擬軟件CrysMas,模擬瞭垂直梯度凝固法(VGF)生長4英吋GaAs單晶過程中的固液界麵形狀,髮現晶體在生長過程中固液界麵形狀經歷瞭由凹到凸的變化.數值模擬結果錶明鎔體中和晶體中的軸嚮溫度梯度之比小于0.4時,固液界麵為凸嚮鎔體,與理論推導結果一緻.模擬瞭晶體生長過程中固液界麵附近的晶體中的熱應力值,髮現固液界麵為平界麵時晶體中的熱應力具有最小值.推導計算瞭VGF GaAs單晶生長過程中固液界麵凹(凸)度的臨界值,噹固液界麵凹(凸)度小于該值時,晶體中的熱應力低于臨界剪切應力.
채용전업정체생장수치모의연건CrysMas,모의료수직제도응고법(VGF)생장4영촌GaAs단정과정중적고액계면형상,발현정체재생장과정중고액계면형상경력료유요도철적변화.수치모의결과표명용체중화정체중적축향온도제도지비소우0.4시,고액계면위철향용체,여이론추도결과일치.모의료정체생장과정중고액계면부근적정체중적열응력치,발현고액계면위평계면시정체중적열응력구유최소치.추도계산료VGF GaAs단정생장과정중고액계면요(철)도적림계치,당고액계면요(철)도소우해치시,정체중적열응력저우림계전절응력.
