半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
6期
812-814,818
,共4页
黎学明%易声伟%刘仁龙%谢昭明
黎學明%易聲偉%劉仁龍%謝昭明
려학명%역성위%류인룡%사소명
聚[2-甲氧基-5-(2'-乙基)己基对苯乙稀]%聚合物发光二极管%湿法制备%Ag电极
聚[2-甲氧基-5-(2'-乙基)己基對苯乙稀]%聚閤物髮光二極管%濕法製備%Ag電極
취[2-갑양기-5-(2'-을기)기기대분을희]%취합물발광이겁관%습법제비%Ag전겁
提出一种基于化学镀方法替代真空蒸发镀制备聚合物发光二极管(LED)阴极的思路.采用Ag(NH3)+2-KNaC4H4O6体系将纳米Ag沉积于MEH-PPV薄膜表面并形成ITO/MEH-PPV/Ag发光二极管.用SEM和XRD表征化学镀银层结构与形态,通过椭偏仪研究MEH-PPV浓度、体积等旋涂条件对其厚度影响的规律,初探发光二极管性能.结果表明,当MEH-PPV浓度为5.5mg·mL-1,加入量15μL,旋转18s(1800r/s)和30s(3000r/s)时,MEH-PPV厚度能控制在100nm左右;化学镀Ag层晶粒均匀致密,尺寸为30～40nm,为典型面心立方结构;驱动电压为6V时,发光二极管能发出峰值波长为589nm的桔红色光.
提齣一種基于化學鍍方法替代真空蒸髮鍍製備聚閤物髮光二極管(LED)陰極的思路.採用Ag(NH3)+2-KNaC4H4O6體繫將納米Ag沉積于MEH-PPV薄膜錶麵併形成ITO/MEH-PPV/Ag髮光二極管.用SEM和XRD錶徵化學鍍銀層結構與形態,通過橢偏儀研究MEH-PPV濃度、體積等鏇塗條件對其厚度影響的規律,初探髮光二極管性能.結果錶明,噹MEH-PPV濃度為5.5mg·mL-1,加入量15μL,鏇轉18s(1800r/s)和30s(3000r/s)時,MEH-PPV厚度能控製在100nm左右;化學鍍Ag層晶粒均勻緻密,呎吋為30～40nm,為典型麵心立方結構;驅動電壓為6V時,髮光二極管能髮齣峰值波長為589nm的桔紅色光.
제출일충기우화학도방법체대진공증발도제비취합물발광이겁관(LED)음겁적사로.채용Ag(NH3)+2-KNaC4H4O6체계장납미Ag침적우MEH-PPV박막표면병형성ITO/MEH-PPV/Ag발광이겁관.용SEM화XRD표정화학도은층결구여형태,통과타편의연구MEH-PPV농도、체적등선도조건대기후도영향적규률,초탐발광이겁관성능.결과표명,당MEH-PPV농도위5.5mg·mL-1,가입량15μL,선전18s(1800r/s)화30s(3000r/s)시,MEH-PPV후도능공제재100nm좌우;화학도Ag층정립균균치밀,척촌위30～40nm,위전형면심립방결구;구동전압위6V시,발광이겁관능발출봉치파장위589nm적길홍색광.
