微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
4期
551-555
,共5页
非晶硅(a-Si:H)%薄膜晶体管%开态电流%陷落电荷%陷阱态
非晶硅(a-Si:H)%薄膜晶體管%開態電流%陷落電荷%陷阱態
비정규(a-Si:H)%박막정체관%개태전류%함락전하%함정태
对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法.考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启区电流模型.定义阈值电压为栅氧/半导体界面处陷落于深能级陷阱态的电荷与陷落于带尾态的电荷相等时所对应的栅压.电流模型中,引入一陷落电荷参数β,此参数建立了电子的带迁移率与有效迁移率之间的关系.最后,将电流模型同时与Pao-Sah模型和实验数据进行比较和验证,结果表现出很好的一致性.
對非晶硅薄膜晶體管,提齣基于陷落電荷和自由電荷分析的新方法.攷慮到帶隙中指數分佈的深能態和帶尾態,給齣瞭基于閾值電壓的開啟區電流模型.定義閾值電壓為柵氧/半導體界麵處陷落于深能級陷阱態的電荷與陷落于帶尾態的電荷相等時所對應的柵壓.電流模型中,引入一陷落電荷參數β,此參數建立瞭電子的帶遷移率與有效遷移率之間的關繫.最後,將電流模型同時與Pao-Sah模型和實驗數據進行比較和驗證,結果錶現齣很好的一緻性.
대비정규박막정체관,제출기우함락전하화자유전하분석적신방법.고필도대극중지수분포적심능태화대미태,급출료기우역치전압적개계구전류모형.정의역치전압위책양/반도체계면처함락우심능급함정태적전하여함락우대미태적전하상등시소대응적책압.전류모형중,인입일함락전하삼수β,차삼수건립료전자적대천이솔여유효천이솔지간적관계.최후,장전류모형동시여Pao-Sah모형화실험수거진행비교화험증,결과표현출흔호적일치성.
