固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
3期
350-352,452
,共4页
恩云飞%何玉娟%罗宏伟%潘金辉%肖庆中
恩雲飛%何玉娟%囉宏偉%潘金輝%肖慶中
은운비%하옥연%라굉위%반금휘%초경중
静电保护%绝缘层上硅%传输线脉冲测试%栅接地n型金属-氧化物-半导体
靜電保護%絕緣層上硅%傳輸線脈遲測試%柵接地n型金屬-氧化物-半導體
정전보호%절연층상규%전수선맥충측시%책접지n형금속-양화물-반도체
采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关.
採用TLP測試的方式,研究瞭不同柵長對柵接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,靜電放電)特性的影響,結果髮現柵長越大,維持電壓VH越大,ESD二次擊穿電流It2越大;其原因可能與薄硅層中的熱分佈有關.
채용TLP측시적방식,연구료불동책장대책접지SOI NMOS기건ESD(Electrostatic discharge,정전방전)특성적영향,결과발현책장월대,유지전압VH월대,ESD이차격천전류It2월대;기원인가능여박규층중적열분포유관.
