甘肃科技
甘肅科技
감숙과기
GANSU SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年
8期
40-41
,共2页
量子阱%激光器%I-V特性
量子阱%激光器%I-V特性
양자정%격광기%I-V특성
半导体红光激光器以其体积小、价格便宜等越来越成为人们关注的焦点.通过测定InGaP/InGaAlP量子阱激光器的I-V关系和不同电压下的发射光谱,对输出光谱的半高宽和发光峰位随外加电压的变化进行了分析.
半導體紅光激光器以其體積小、價格便宜等越來越成為人們關註的焦點.通過測定InGaP/InGaAlP量子阱激光器的I-V關繫和不同電壓下的髮射光譜,對輸齣光譜的半高寬和髮光峰位隨外加電壓的變化進行瞭分析.
반도체홍광격광기이기체적소、개격편의등월래월성위인문관주적초점.통과측정InGaP/InGaAlP양자정격광기적I-V관계화불동전압하적발사광보,대수출광보적반고관화발광봉위수외가전압적변화진행료분석.
