固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
3期
363-367
,共5页
金黎明%倪熔华%唐长文%闵昊
金黎明%倪鎔華%唐長文%閔昊
금려명%예용화%당장문%민호
混频器%开关跨导%噪声系数%三阶交调点
混頻器%開關跨導%譟聲繫數%三階交調點
혼빈기%개관과도%조성계수%삼계교조점
设计实现了一种采用开关跨导型结构的低噪声高线性度上变频混频器,详细分析了电路的噪声特性和线性度等性能参数,本振频率为900 MHz.芯片采用0.18 μm Mixed signal CMOS工艺实现.测试结果表明,混频器的转换增益约为8 dB,单边带噪声系数约为11 dB,输人参考三阶交调点(IIP3)约为10.5 dBm.芯片工作在1.8 V电源电压下,消耗的电流为10 mA,芯片总面积为0.63 mm×0.78 mm.
設計實現瞭一種採用開關跨導型結構的低譟聲高線性度上變頻混頻器,詳細分析瞭電路的譟聲特性和線性度等性能參數,本振頻率為900 MHz.芯片採用0.18 μm Mixed signal CMOS工藝實現.測試結果錶明,混頻器的轉換增益約為8 dB,單邊帶譟聲繫數約為11 dB,輸人參攷三階交調點(IIP3)約為10.5 dBm.芯片工作在1.8 V電源電壓下,消耗的電流為10 mA,芯片總麵積為0.63 mm×0.78 mm.
설계실현료일충채용개관과도형결구적저조성고선성도상변빈혼빈기,상세분석료전로적조성특성화선성도등성능삼수,본진빈솔위900 MHz.심편채용0.18 μm Mixed signal CMOS공예실현.측시결과표명,혼빈기적전환증익약위8 dB,단변대조성계수약위11 dB,수인삼고삼계교조점(IIP3)약위10.5 dBm.심편공작재1.8 V전원전압하,소모적전류위10 mA,심편총면적위0.63 mm×0.78 mm.
