半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
9期
801-802,809
,共3页
杨士亮%张欣卉%姬国庆%唐卫红%李汉军
楊士亮%張訢卉%姬國慶%唐衛紅%李漢軍
양사량%장흔훼%희국경%당위홍%리한군
微电子器件%静电损伤%放电模型
微電子器件%靜電損傷%放電模型
미전자기건%정전손상%방전모형
在不同的静电放电模型下,通过实验研究了几种典型的半导体器件的静电敏感端对的静电放电情况和灵敏参数,由于外部环境、材料、结构和加工工艺不同,器件的静电损伤模式不同,其最大未损伤阈值和最小损伤阈值也不尽相同.实验结果表明,对于高频低噪声npn型硅三极管来说,反向CB结的静电敏感度要高于反向EB结的静电敏感度;ESD电流注入硅器件不同端对时,灵敏参数一般包括反向击穿电压、直流电流放大系数和反向漏电流,而极间电容和噪声系数对静电不敏感.
在不同的靜電放電模型下,通過實驗研究瞭幾種典型的半導體器件的靜電敏感耑對的靜電放電情況和靈敏參數,由于外部環境、材料、結構和加工工藝不同,器件的靜電損傷模式不同,其最大未損傷閾值和最小損傷閾值也不儘相同.實驗結果錶明,對于高頻低譟聲npn型硅三極管來說,反嚮CB結的靜電敏感度要高于反嚮EB結的靜電敏感度;ESD電流註入硅器件不同耑對時,靈敏參數一般包括反嚮擊穿電壓、直流電流放大繫數和反嚮漏電流,而極間電容和譟聲繫數對靜電不敏感.
재불동적정전방전모형하,통과실험연구료궤충전형적반도체기건적정전민감단대적정전방전정황화령민삼수,유우외부배경、재료、결구화가공공예불동,기건적정전손상모식불동,기최대미손상역치화최소손상역치야불진상동.실험결과표명,대우고빈저조성npn형규삼겁관래설,반향CB결적정전민감도요고우반향EB결적정전민감도;ESD전류주입규기건불동단대시,령민삼수일반포괄반향격천전압、직류전류방대계수화반향루전류,이겁간전용화조성계수대정전불민감.
