MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究
MOCVD실현InGaAsP파도대접생장적연구
Studies on the Butt-Joint of a InGaAsP-Waveguide Realized with Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2008年 6期 1177-1179 ,共3页

    张瑞康%董雷%余永林%王定理%张靖%陈磊%江山

    장서강%동뢰%여영림%왕정리%장정%진뢰%강산

    MOCVD%对接生长%波导 MOCVD%對接生長%波導
    MOCVD%대접생장%파도
    采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.
    채용저압MOCVD기술,통과대접계면화대접공예적우화,획득료고질량적InGaAsP재료구성적대접파도,측량득도적대접파도광학손모위7cm-1,설명해기술가이용래제작고질량적광전자집성기건.
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