科技创新导报
科技創新導報
과기창신도보
SCIENCE AND TECHNOLOGY CONSULTING HERALD
2008年
1期
8-9
,共2页
王辉%琚伟伟%刘香茹%陈庆东%尤景汉%巩晓阳
王輝%琚偉偉%劉香茹%陳慶東%尤景漢%鞏曉暘
왕휘%거위위%류향여%진경동%우경한%공효양
碳化硅%材料生长%器件
碳化硅%材料生長%器件
탄화규%재료생장%기건
作为第三代的半导体材料,SiC具有带隙宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景.文章综述了碳化硅的发展历史,介绍了SiC材料的生长工艺技术,并简要讨论了SiC器件主要应用领域和前景.
作為第三代的半導體材料,SiC具有帶隙寬、熱導率高、電子的飽和漂移速度大、臨界擊穿電場高和介電常數低、化學穩定性好等特點,在高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體器件及紫外探測器等方麵具有廣汎的應用前景.文章綜述瞭碳化硅的髮展歷史,介紹瞭SiC材料的生長工藝技術,併簡要討論瞭SiC器件主要應用領域和前景.
작위제삼대적반도체재료,SiC구유대극관、열도솔고、전자적포화표이속도대、림계격천전장고화개전상수저、화학은정성호등특점,재고빈、대공솔、내고온、항복조적반도체기건급자외탐측기등방면구유엄범적응용전경.문장종술료탄화규적발전역사,개소료SiC재료적생장공예기술,병간요토론료SiC기건주요응용영역화전경.
