绝缘材料
絕緣材料
절연재료
INSULATING MATERIALS
2008年
1期
37-39,43
,共4页
李翠翠%李娟%陈昊%张辰威%范勇
李翠翠%李娟%陳昊%張辰威%範勇
리취취%리연%진호%장신위%범용
聚酰亚胺%纳米有机硅%电性能
聚酰亞胺%納米有機硅%電性能
취선아알%납미유궤규%전성능
通过调整甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,采用溶胶一凝胶法制备了纳米有机硅溶胶用于掺杂的聚酰亚胺(PI)薄膜.对薄膜的结构与电气强度,相对介电常数εr和介质损耗因数(tanδ)的关系进行了实验研究,并采用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌.结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的击穿场强先下降后增加,大约在甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为3∶5时出现极小值,在1 kHz的测试频率下,相对介电常数εr先增大后减小,相应的介质损耗因数(tanδ)逐渐降低.
通過調整甲基三乙氧基硅烷和正硅痠乙酯的摩爾比,採用溶膠一凝膠法製備瞭納米有機硅溶膠用于摻雜的聚酰亞胺(PI)薄膜.對薄膜的結構與電氣彊度,相對介電常數εr和介質損耗因數(tanδ)的關繫進行瞭實驗研究,併採用FT-IR,SEM錶徵瞭薄膜的化學結構和錶麵形貌.結果錶明,隨著納米有機硅網絡結構的變化,摻雜薄膜的擊穿場彊先下降後增加,大約在甲基三乙氧基硅烷和正硅痠乙酯的摩爾比為3∶5時齣現極小值,在1 kHz的測試頻率下,相對介電常數εr先增大後減小,相應的介質損耗因數(tanδ)逐漸降低.
통과조정갑기삼을양기규완화정규산을지적마이비,채용용효일응효법제비료납미유궤규용효용우참잡적취선아알(PI)박막.대박막적결구여전기강도,상대개전상수εr화개질손모인수(tanδ)적관계진행료실험연구,병채용FT-IR,SEM표정료박막적화학결구화표면형모.결과표명,수착납미유궤규망락결구적변화,참잡박막적격천장강선하강후증가,대약재갑기삼을양기규완화정규산을지적마이비위3∶5시출현겁소치,재1 kHz적측시빈솔하,상대개전상수εr선증대후감소,상응적개질손모인수(tanδ)축점강저.
