物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2008年
1期
133-137
,共5页
李青%于军胜%李璐%蒋亚东%锁钒%占肖卫
李青%于軍勝%李璐%蔣亞東%鎖釩%佔肖衛
리청%우군성%리로%장아동%쇄범%점초위
有机电致发光器件%硅基化合物%真空蒸镀%能级结构%器件性能
有機電緻髮光器件%硅基化閤物%真空蒸鍍%能級結構%器件性能
유궤전치발광기건%규기화합물%진공증도%능급결구%기건성능
利用真空蒸镀方法,以两种新型硅基化合物同族衍生物材料BMPSiE(1,2-bis(1-methyl-2,3,4,5-tetraphenyl-1H-Silole-1-yl)ethane)和BMPThSi(1,1'-dimethyl-3,3',4,4'-tetraphenyl-2,2',5,5'-tetra(thiophen-2-yl)-1,1'-bi(1 H-silole))为发光层,NPB(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)和Alqs(tris(8-hydroxyquinolinolato)aluminum)分别为空穴和电子传输层,制备了结构简单的高亮度电致发光器件,表征了器件的光电性能,并通过器件的能级结构对器件的发光机理进行了讨论.结果表明,驱动电压为20 V时,BMPSiE和BMPThSi的三层结构的器件最大亮度分别为9991.9和15261.5 cd·m-2,流明效率分别为0.36和0.31 lm·W-1.器件发光光谱谱峰位于483和495 nm处,分别为BMPSiE和BMPThSi的特征光谱,CIE(国际发光照明委员会)色度图坐标为(0.202,0.337)和(0.246,0.419),且不随外加电压的改变而变化.
利用真空蒸鍍方法,以兩種新型硅基化閤物同族衍生物材料BMPSiE(1,2-bis(1-methyl-2,3,4,5-tetraphenyl-1H-Silole-1-yl)ethane)和BMPThSi(1,1'-dimethyl-3,3',4,4'-tetraphenyl-2,2',5,5'-tetra(thiophen-2-yl)-1,1'-bi(1 H-silole))為髮光層,NPB(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)和Alqs(tris(8-hydroxyquinolinolato)aluminum)分彆為空穴和電子傳輸層,製備瞭結構簡單的高亮度電緻髮光器件,錶徵瞭器件的光電性能,併通過器件的能級結構對器件的髮光機理進行瞭討論.結果錶明,驅動電壓為20 V時,BMPSiE和BMPThSi的三層結構的器件最大亮度分彆為9991.9和15261.5 cd·m-2,流明效率分彆為0.36和0.31 lm·W-1.器件髮光光譜譜峰位于483和495 nm處,分彆為BMPSiE和BMPThSi的特徵光譜,CIE(國際髮光照明委員會)色度圖坐標為(0.202,0.337)和(0.246,0.419),且不隨外加電壓的改變而變化.
이용진공증도방법,이량충신형규기화합물동족연생물재료BMPSiE(1,2-bis(1-methyl-2,3,4,5-tetraphenyl-1H-Silole-1-yl)ethane)화BMPThSi(1,1'-dimethyl-3,3',4,4'-tetraphenyl-2,2',5,5'-tetra(thiophen-2-yl)-1,1'-bi(1 H-silole))위발광층,NPB(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)화Alqs(tris(8-hydroxyquinolinolato)aluminum)분별위공혈화전자전수층,제비료결구간단적고량도전치발광기건,표정료기건적광전성능,병통과기건적능급결구대기건적발광궤리진행료토론.결과표명,구동전압위20 V시,BMPSiE화BMPThSi적삼층결구적기건최대량도분별위9991.9화15261.5 cd·m-2,류명효솔분별위0.36화0.31 lm·W-1.기건발광광보보봉위우483화495 nm처,분별위BMPSiE화BMPThSi적특정광보,CIE(국제발광조명위원회)색도도좌표위(0.202,0.337)화(0.246,0.419),차불수외가전압적개변이변화.
