CAJ | 학술논문

本文利用反射式高能电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺.发现低温下Mg(0001)/Si(111)界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低温氧化法和分子束外延法实现了单晶MgO缓冲层的制备,从而为ZnO的外延生长提供了模板.在这一低温界面控制工艺中,Mg膜有效防止了Si表面的氧化,而MgO膜不仅为ZnO的成核与生长提供了优良的缓冲层,且极大地弛豫了由于衬底与ZnO之间的晶格失配所引起的应变.上述低温工艺也可用来控制其它活性金属膜与硅的界面,从而在硅衬底上获得高质量的氧化物模板.
본문이용반사식고능전자연사(RHEED)、고분변투사전경화선구전자연사방법,계통연구료Si(111)츤저상제비고질량양화자단정박막적계면공제공예.발현저온하Mg(0001)/Si(111)계면호확산득도유효억제,형성료고질량적단정미막,진일보통과저온양화법화분자속외연법실현료단정MgO완충층적제비,종이위ZnO적외연생장제공료모판.재저일저온계면공제공예중,Mg막유효방지료Si표면적양화,이MgO막불부위ZnO적성핵여생장제공료우량적완충층,차겁대지이예료유우츤저여ZnO지간적정격실배소인기적응변.상술저온공예야가용래공제기타활성금속막여규적계면,종이재규츤저상획득고질량적양화물모판.