微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
7期
172-173,182
,共3页
李新%庞世信%徐开先%孙承松
李新%龐世信%徐開先%孫承鬆
리신%방세신%서개선%손승송
高温%SOI结构%压力敏感芯片
高溫%SOI結構%壓力敏感芯片
고온%SOI결구%압력민감심편
如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器,一直备受关注.在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了芯片.电桥采用1 mA恒流源供电,在300℃下,满量程输出≥180 mV,灵敏度为30～40 mV/(mA·MPa),非线性≤1‰FS,重复性≤1%oFS.与常温测试结果相比,300℃高温下,敏感芯片的静态性能没有明显差异.
如何製作與生產適宜高溫環境下應用的壓力傳感器,一直備受關註.在SIMOX技術SOI晶圓的基礎上,設計瞭壓力敏感芯片結構,併基于MEMS工藝製作瞭芯片.電橋採用1 mA恆流源供電,在300℃下,滿量程輸齣≥180 mV,靈敏度為30～40 mV/(mA·MPa),非線性≤1‰FS,重複性≤1%oFS.與常溫測試結果相比,300℃高溫下,敏感芯片的靜態性能沒有明顯差異.
여하제작여생산괄의고온배경하응용적압력전감기,일직비수관주.재SIMOX기술SOI정원적기출상,설계료압력민감심편결구,병기우MEMS공예제작료심편.전교채용1 mA항류원공전,재300℃하,만량정수출≥180 mV,령민도위30～40 mV/(mA·MPa),비선성≤1‰FS,중복성≤1%oFS.여상온측시결과상비,300℃고온하,민감심편적정태성능몰유명현차이.
