电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2007年
7期
22-24,30
,共4页
化学机械抛光%晶片表面不均匀度%去除率
化學機械拋光%晶片錶麵不均勻度%去除率
화학궤계포광%정편표면불균균도%거제솔
目前半导体制造技术已经进入0.13μm、300mm时代,随着硅片尺寸的增大以及特征线宽的减小,作为目前硅片超精密平坦化加工的主要手段-化学机械平坦化,已经成为IC制造技术中不可缺少的技术.介绍了在化学机械抛光过程中,可以通过抛光头与抛光台运动速度关系优化配置,降低晶片表面不均匀度,从而更好地实现晶片局部和全局平坦化.
目前半導體製造技術已經進入0.13μm、300mm時代,隨著硅片呎吋的增大以及特徵線寬的減小,作為目前硅片超精密平坦化加工的主要手段-化學機械平坦化,已經成為IC製造技術中不可缺少的技術.介紹瞭在化學機械拋光過程中,可以通過拋光頭與拋光檯運動速度關繫優化配置,降低晶片錶麵不均勻度,從而更好地實現晶片跼部和全跼平坦化.
목전반도체제조기술이경진입0.13μm、300mm시대,수착규편척촌적증대이급특정선관적감소,작위목전규편초정밀평탄화가공적주요수단-화학궤계평탄화,이경성위IC제조기술중불가결소적기술.개소료재화학궤계포광과정중,가이통과포광두여포광태운동속도관계우화배치,강저정편표면불균균도,종이경호지실현정편국부화전국평탄화.
