发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2006年
5期
684-688
,共5页
聚合物发光二极管%PBD%阻挡空穴
聚閤物髮光二極管%PBD%阻擋空穴
취합물발광이겁관%PBD%조당공혈
研究了由聚合物发光材料poly(2-methoxy,5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)掺杂2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)制成的发光层厚度为80, 170 nm的高分子发光器件(PLEDs).研究了PBD不同掺杂浓度时器件的电流密度-电压(J-V)和亮度-效率-电压(L-E-V)特性,发现PBD除传输电子外,还阻挡空穴的注入和传输.研究发现,PBD的最优掺杂浓度为20%,掺入PBD后MEH-PPV的EL光谱红移且发生窄化,当PBD掺杂浓度为40%时MEH-PPV的EL光谱窄化最明显,EL光谱半峰全宽从100 nm减小到44 nm.
研究瞭由聚閤物髮光材料poly(2-methoxy,5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)摻雜2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)製成的髮光層厚度為80, 170 nm的高分子髮光器件(PLEDs).研究瞭PBD不同摻雜濃度時器件的電流密度-電壓(J-V)和亮度-效率-電壓(L-E-V)特性,髮現PBD除傳輸電子外,還阻擋空穴的註入和傳輸.研究髮現,PBD的最優摻雜濃度為20%,摻入PBD後MEH-PPV的EL光譜紅移且髮生窄化,噹PBD摻雜濃度為40%時MEH-PPV的EL光譜窄化最明顯,EL光譜半峰全寬從100 nm減小到44 nm.
연구료유취합물발광재료poly(2-methoxy,5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)참잡2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)제성적발광층후도위80, 170 nm적고분자발광기건(PLEDs).연구료PBD불동참잡농도시기건적전류밀도-전압(J-V)화량도-효솔-전압(L-E-V)특성,발현PBD제전수전자외,환조당공혈적주입화전수.연구발현,PBD적최우참잡농도위20%,참입PBD후MEH-PPV적EL광보홍이차발생착화,당PBD참잡농도위40%시MEH-PPV적EL광보착화최명현,EL광보반봉전관종100 nm감소도44 nm.
