微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2003年
7期
371-374
,共4页
缪旻%肖志勇%武国英%金玉丰%郝一龙
繆旻%肖誌勇%武國英%金玉豐%郝一龍
무민%초지용%무국영%금옥봉%학일룡
射频%微波%微电子机械系统%复合膜%微桥结构%开关%可调电容%移相器
射頻%微波%微電子機械繫統%複閤膜%微橋結構%開關%可調電容%移相器
사빈%미파%미전자궤계계통%복합막%미교결구%개관%가조전용%이상기
提出了一种基于微机械工艺的新型复合微桥膜结构,由低应力SiN/SiO2 (0.5μm/50nm)及Cr/Au(30nm/1μm)构成.相应的工艺流程较为简单.对影响其特性的因素进行了理论分析,并提出了3种桥膜的平面结构;利用静电/力耦合有限元法分析了各种结构的静电驱动特性以及各阶模态,结果得到了令人满意的驱动和机械性能;通过有限元高频仿真软件对桥膜结构与共面波导形成的可调电容结构进行了分析,结果表明其具有良好的射频/微波性能.该桥膜结构适用于RF MEMS开关、移相器及开关式可调电容和滤波器等.
提齣瞭一種基于微機械工藝的新型複閤微橋膜結構,由低應力SiN/SiO2 (0.5μm/50nm)及Cr/Au(30nm/1μm)構成.相應的工藝流程較為簡單.對影響其特性的因素進行瞭理論分析,併提齣瞭3種橋膜的平麵結構;利用靜電/力耦閤有限元法分析瞭各種結構的靜電驅動特性以及各階模態,結果得到瞭令人滿意的驅動和機械性能;通過有限元高頻倣真軟件對橋膜結構與共麵波導形成的可調電容結構進行瞭分析,結果錶明其具有良好的射頻/微波性能.該橋膜結構適用于RF MEMS開關、移相器及開關式可調電容和濾波器等.
제출료일충기우미궤계공예적신형복합미교막결구,유저응력SiN/SiO2 (0.5μm/50nm)급Cr/Au(30nm/1μm)구성.상응적공예류정교위간단.대영향기특성적인소진행료이론분석,병제출료3충교막적평면결구;이용정전/력우합유한원법분석료각충결구적정전구동특성이급각계모태,결과득도료령인만의적구동화궤계성능;통과유한원고빈방진연건대교막결구여공면파도형성적가조전용결구진행료분석,결과표명기구유량호적사빈/미파성능.해교막결구괄용우RF MEMS개관、이상기급개관식가조전용화려파기등.
