半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2001年
4期
57-60,64
,共5页
王桂珍%张正选%姜景和%姚育娟
王桂珍%張正選%薑景和%姚育娟
왕계진%장정선%강경화%요육연
辐射效应%MOS器件%总剂量%阈值电压%模拟辐射源
輻射效應%MOS器件%總劑量%閾值電壓%模擬輻射源
복사효응%MOS기건%총제량%역치전압%모의복사원
介绍了半导体器件与电路的总剂量辐射效应及其测试技术。主要分析了MOS器件的效应机理、总剂量效应试验模拟源以及各种模拟源辐射环境的测量方法。最后给出了部分实验结果，并对其进行了讨论。
介紹瞭半導體器件與電路的總劑量輻射效應及其測試技術。主要分析瞭MOS器件的效應機理、總劑量效應試驗模擬源以及各種模擬源輻射環境的測量方法。最後給齣瞭部分實驗結果，併對其進行瞭討論。
개소료반도체기건여전로적총제량복사효응급기측시기술。주요분석료MOS기건적효응궤리、총제량효응시험모의원이급각충모의원복사배경적측량방법。최후급출료부분실험결과，병대기진행료토론。
