电子工程师
電子工程師
전자공정사
ELECTRONIC ENGINEER
2000年
7期
43-44
,共2页
平坦化%SOG%回刻%复合膜
平坦化%SOG%迴刻%複閤膜
평탄화%SOG%회각%복합막
介绍了一种超大规模集成电路层间介质膜的平坦化技术,通过对双层布线中复合膜( CVD-SiO2膜和SOG膜)的回刻,使器件在具有高的沟或接触孔的深宽比(aspect ratio)条件下,在双层金属膜之间的层间介质膜上获得了好的台阶覆盖性.
介紹瞭一種超大規模集成電路層間介質膜的平坦化技術,通過對雙層佈線中複閤膜( CVD-SiO2膜和SOG膜)的迴刻,使器件在具有高的溝或接觸孔的深寬比(aspect ratio)條件下,在雙層金屬膜之間的層間介質膜上穫得瞭好的檯階覆蓋性.
개소료일충초대규모집성전로층간개질막적평탄화기술,통과대쌍층포선중복합막( CVD-SiO2막화SOG막)적회각,사기건재구유고적구혹접촉공적심관비(aspect ratio)조건하,재쌍층금속막지간적층간개질막상획득료호적태계복개성.
