CAJ | 학술논문

采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法在Si(100)衬底上淀积一层厚度约为170nm的富Ge高C含量的Si1-x-yGex/Cy薄膜,然后将其分别在800℃和1100℃下湿氧氧化20min.在室温下观测到强烈的光致发光.室温下的光致发光谱(PL谱)测量显示,800℃下氧化后的样品在370nm和396nm附近有两个光致发光带,1100℃下氧化后的样品只在396nm附近有一个光致发光带.396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷O-Si-O(Si20)或O-Ge-O(Ge20)引起的,而370nm附近的发光带与薄膜中Ge-C对发光中心有关.
채용등리자체증강화학기상정적(PECVD)법재Si(100)츤저상정적일층후도약위170nm적부Ge고C함량적Si1-x-yGex/Cy박막,연후장기분별재800℃화1100℃하습양양화20min.재실온하관측도강렬적광치발광.실온하적광치발광보(PL보)측량현시,800℃하양화후적양품재370nm화396nm부근유량개광치발광대,1100℃하양화후적양품지재396nm부근유일개광치발광대.396nm부근적발광대가귀지우유양화박막중적결함O-Si-O(Si20)혹O-Ge-O(Ge20)인기적,이370nm부근적발광대여박막중Ge-C대발광중심유관.