微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2000年
1期
28-30
,共3页
尚笠%葛元庆%周润德%朱宁%梁松海
尚笠%葛元慶%週潤德%硃寧%樑鬆海
상립%갈원경%주윤덕%주저%량송해
微处理器%嵌入式内核%专用集成电路%高层综合
微處理器%嵌入式內覈%專用集成電路%高層綜閤
미처리기%감입식내핵%전용집성전로%고층종합
采用高层综合的方法设计出80C51微处理器嵌入式内核,并在1.2 μm工艺线上完成了投片实验,获得了满意的结果.内核面积按照等效门计算为7600门规模.
採用高層綜閤的方法設計齣80C51微處理器嵌入式內覈,併在1.2 μm工藝線上完成瞭投片實驗,穫得瞭滿意的結果.內覈麵積按照等效門計算為7600門規模.
채용고층종합적방법설계출80C51미처리기감입식내핵,병재1.2 μm공예선상완성료투편실험,획득료만의적결과.내핵면적안조등효문계산위7600문규모.
