高技术通讯
高技術通訊
고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2000年
2期
50-52
,共3页
应变补偿%激光器%量子阱
應變補償%激光器%量子阱
응변보상%격광기%양자정
实现了InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器的室温脉冲激射,激射波长为1.56μm,阈值电流密度小于1.85kA/cm2,脊波导结构的激光器最低阈值电流为35mA.应变补偿结构的引入使器件的温度特性明显得到改善.
實現瞭InGaAs/InGaAlAs應變補償量子阱激光器的室溫脈遲激射,激射波長為1.56μm,閾值電流密度小于1.85kA/cm2,脊波導結構的激光器最低閾值電流為35mA.應變補償結構的引入使器件的溫度特性明顯得到改善.
실현료InGaAs/InGaAlAs응변보상양자정격광기적실온맥충격사,격사파장위1.56μm,역치전류밀도소우1.85kA/cm2,척파도결구적격광기최저역치전류위35mA.응변보상결구적인입사기건적온도특성명현득도개선.
