CAJ | 학술논문

万方数据

功能材料与器件学报 공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2000年 3期 243-247 ,共5页

钱家骏%叶小玲%徐波%韩勤%陈涌海%丁鼎%梁基本%刘峰奇%张金福%张秀兰%王占国

전가준%협소령%서파%한근%진용해%정정%량기본%류봉기%장금복%장수란%왕점국

InAs/GaAs应变自组装量子点材料%量子点激光器%电致发光谱(EL)%MBE外延生长 InAs/GaAs應變自組裝量子點材料%量子點激光器%電緻髮光譜(EL)%MBE外延生長
InAs/GaAs응변자조장양자점재료%양자점격광기%전치발광보(EL)%MBE외연생장

介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究.器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器.室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出.
개소료InAs/GaAs양자점격광기적재료생장,기건제비급기광학특성적연구.기건위조관100μm,강장1600μm미도막격기.실온역치전류밀도위221A/cm2,격사파장위1.08μm,련속파공작최대광공솔수출위2.74W(쌍면),외미분효솔위88%,경50oC,1000h노화,잉유>1.2W적광공솔수출.