半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
2期
188-191
,共4页
许国阳%颜学进%朱洪亮%段俐宏%周帆%田慧良%白云霞%王圩
許國暘%顏學進%硃洪亮%段俐宏%週帆%田慧良%白雲霞%王圩
허국양%안학진%주홍량%단리굉%주범%전혜량%백운하%왕우
激光器%InP%优化生长
激光器%InP%優化生長
격광기%InP%우화생장
研究了低压MOCVD下生长压力和Fe源/In源摩尔流量比对半绝缘InP电阻率的影响.得到了用LP-MOCVD生长掺Fe半绝缘InP的优化生长条件.在优化生长条件下得到的Fe-InP的电阻率为2.0×108Ω·cm，击穿电场4×104V/cm.用半绝缘Fe-InP掩埋1.55tm多量子阱激光器，激光器的高频调制特性明显优于反向pn结掩埋的激光器，3dB调制带宽达4.8GHz.
研究瞭低壓MOCVD下生長壓力和Fe源/In源摩爾流量比對半絕緣InP電阻率的影響.得到瞭用LP-MOCVD生長摻Fe半絕緣InP的優化生長條件.在優化生長條件下得到的Fe-InP的電阻率為2.0×108Ω·cm，擊穿電場4×104V/cm.用半絕緣Fe-InP掩埋1.55tm多量子阱激光器，激光器的高頻調製特性明顯優于反嚮pn結掩埋的激光器，3dB調製帶寬達4.8GHz.
연구료저압MOCVD하생장압력화Fe원/In원마이류량비대반절연InP전조솔적영향.득도료용LP-MOCVD생장참Fe반절연InP적우화생장조건.재우화생장조건하득도적Fe-InP적전조솔위2.0×108Ω·cm，격천전장4×104V/cm.용반절연Fe-InP엄매1.55tm다양자정격광기，격광기적고빈조제특성명현우우반향pn결엄매적격광기，3dB조제대관체4.8GHz.
