半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
1999年
1期
39-42
,共4页
离子束%刻蚀%速率
離子束%刻蝕%速率
리자속%각식%속솔
介绍了几种常用的干法刻蚀技术的机理,重点介绍了离子束刻蚀的基本原理,给出了55种不同材料在500eV能量1mA/cm2束流密度条件下的刻蚀速率,并给出了刻蚀速率随束流能量和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的扫描电镜分析结果,对有关问题进行了讨论.
介紹瞭幾種常用的榦法刻蝕技術的機理,重點介紹瞭離子束刻蝕的基本原理,給齣瞭55種不同材料在500eV能量1mA/cm2束流密度條件下的刻蝕速率,併給齣瞭刻蝕速率隨束流能量和束流密度增加而增加的試驗結果和實際圖形刻蝕的掃描電鏡分析結果,對有關問題進行瞭討論.
개소료궤충상용적간법각식기술적궤리,중점개소료리자속각식적기본원리,급출료55충불동재료재500eV능량1mA/cm2속류밀도조건하적각식속솔,병급출료각식속솔수속류능량화속류밀도증가이증가적시험결과화실제도형각식적소묘전경분석결과,대유관문제진행료토론.
