电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2003年
2期
142-144
,共3页
刘虹雯%郭海明%王业亮%高鸿钧%刘盛%Kamgar A%Gleskova H%Wagner S
劉虹雯%郭海明%王業亮%高鴻鈞%劉盛%Kamgar A%Gleskova H%Wagner S
류홍문%곽해명%왕업량%고홍균%류성%Kamgar A%Gleskova H%Wagner S
裂化%柔性电路%应变
裂化%柔性電路%應變
열화%유성전로%응변
本文研究了在柔性塑料衬底上的均匀的无定形Si 和SiNx 薄膜的裂化规律.结果表明,在单轴向拉力应变下,虽然衬底仍保持完整,但是半导体薄膜破裂为直的并行的阵列.当应变大于一个临界值后,裂纹的密度成线性增长.用原子力显微镜对裂纹的宽度和深度进行了表征和分析.
本文研究瞭在柔性塑料襯底上的均勻的無定形Si 和SiNx 薄膜的裂化規律.結果錶明,在單軸嚮拉力應變下,雖然襯底仍保持完整,但是半導體薄膜破裂為直的併行的陣列.噹應變大于一箇臨界值後,裂紋的密度成線性增長.用原子力顯微鏡對裂紋的寬度和深度進行瞭錶徵和分析.
본문연구료재유성소료츤저상적균균적무정형Si 화SiNx 박막적열화규률.결과표명,재단축향랍력응변하,수연츤저잉보지완정,단시반도체박막파렬위직적병행적진렬.당응변대우일개림계치후,렬문적밀도성선성증장.용원자력현미경대렬문적관도화심도진행료표정화분석.
