微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2003年
2期
157-159
,共3页
孙顺根%吴晓波%王旃%冀学美%严晓浪
孫順根%吳曉波%王旃%冀學美%嚴曉浪
손순근%오효파%왕전%기학미%엄효랑
CMOS%能隙%基准电压源
CMOS%能隙%基準電壓源
CMOS%능극%기준전압원
设计了一种采用0.6 μm CMOS数字工艺的高精度能隙基准电压源.它具有结构简单、性能优异的特点,该电压源主要用于智能电源控制器,其温度系数可达15 ppm/°C,输出电压变化率仅为18 μV/V.
設計瞭一種採用0.6 μm CMOS數字工藝的高精度能隙基準電壓源.它具有結構簡單、性能優異的特點,該電壓源主要用于智能電源控製器,其溫度繫數可達15 ppm/°C,輸齣電壓變化率僅為18 μV/V.
설계료일충채용0.6 μm CMOS수자공예적고정도능극기준전압원.타구유결구간단、성능우이적특점,해전압원주요용우지능전원공제기,기온도계수가체15 ppm/°C,수출전압변화솔부위18 μV/V.
