量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2002年
5期
467-470
,共4页
蔡志华%田洪涛%陈朝%周海光%孙书农%Pavel K.Kashkarov
蔡誌華%田洪濤%陳朝%週海光%孫書農%Pavel K.Kashkarov
채지화%전홍도%진조%주해광%손서농%Pavel K.Kashkarov
InP%激光诱导%Zn掺杂
InP%激光誘導%Zn摻雜
InP%격광유도%Zn참잡
Nd:YAG连续激光辐照在表面蒸有Zn薄膜的n-InP片上,用激光诱导的方法实现Zn在InP中掺杂,形成PN结.用电化学C-V方法和扫描电子显微镜对辐照后的样品进行分析研究,给出激光辐照功率、辐照时间等工艺参数对结深、浓度分布影响.在n-InP片表面得到受主浓度分布均匀、高掺杂(～1019cm-3)、浅结(～1μm)的P-InP.初步分析其掺杂机理是激光诱导下所形成的合金结过程.
Nd:YAG連續激光輻照在錶麵蒸有Zn薄膜的n-InP片上,用激光誘導的方法實現Zn在InP中摻雜,形成PN結.用電化學C-V方法和掃描電子顯微鏡對輻照後的樣品進行分析研究,給齣激光輻照功率、輻照時間等工藝參數對結深、濃度分佈影響.在n-InP片錶麵得到受主濃度分佈均勻、高摻雜(～1019cm-3)、淺結(～1μm)的P-InP.初步分析其摻雜機理是激光誘導下所形成的閤金結過程.
Nd:YAG련속격광복조재표면증유Zn박막적n-InP편상,용격광유도적방법실현Zn재InP중참잡,형성PN결.용전화학C-V방법화소묘전자현미경대복조후적양품진행분석연구,급출격광복조공솔、복조시간등공예삼수대결심、농도분포영향.재n-InP편표면득도수주농도분포균균、고참잡(～1019cm-3)、천결(～1μm)적P-InP.초보분석기참잡궤리시격광유도하소형성적합금결과정.
