高技术通讯
高技術通訊
고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2002年
5期
41-44
,共4页
方高瞻%肖建伟%马骁宇%谭满清%冯小明%潘贵生
方高瞻%肖建偉%馬驍宇%譚滿清%馮小明%潘貴生
방고첨%초건위%마효우%담만청%풍소명%반귀생
激光二极管列阵%叠层%GaAs/AlGaAs
激光二極管列陣%疊層%GaAs/AlGaAs
격광이겁관렬진%첩층%GaAs/AlGaAs
报导了5kW GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的制作过程和测试结果.通过金属有机物化学气相沉积方法实现分别限制单量子阱结构.1cm激光条的填充密度是70%.采用80个激光条叠层封装,激光条间距是0.5mm,功率密度达1.25kW/cm2,峰值波长是809.0nm,谱线宽度是4.8nm.
報導瞭5kW GaAs/AlGaAs疊層激光二極管列陣的製作過程和測試結果.通過金屬有機物化學氣相沉積方法實現分彆限製單量子阱結構.1cm激光條的填充密度是70%.採用80箇激光條疊層封裝,激光條間距是0.5mm,功率密度達1.25kW/cm2,峰值波長是809.0nm,譜線寬度是4.8nm.
보도료5kW GaAs/AlGaAs첩층격광이겁관렬진적제작과정화측시결과.통과금속유궤물화학기상침적방법실현분별한제단양자정결구.1cm격광조적전충밀도시70%.채용80개격광조첩층봉장,격광조간거시0.5mm,공솔밀도체1.25kW/cm2,봉치파장시809.0nm,보선관도시4.8nm.
