西安电子科技大学学报(自然科学版)
西安電子科技大學學報(自然科學版)
서안전자과기대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY
2002年
4期
465-469
,共5页
王剑屏%郝跃%彭军%朱作云%张永华
王劍屏%郝躍%彭軍%硃作雲%張永華
왕검병%학약%팽군%주작운%장영화
碳化硅%异质外延%表面缺陷
碳化硅%異質外延%錶麵缺陷
탄화규%이질외연%표면결함
讨论了引入Ⅲ-Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层,用常压气相外延手段在蓝宝石/Ⅲ-Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程.在C面(0001)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜.扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑,证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义,同时在表面发现直径为1～10 μm的六角形缺陷.对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析,并对缺陷产生的机理进行了探讨,认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源.
討論瞭引入Ⅲ-Ⅴ族氮化物為藍寶石與碳化硅中間的緩遲層,用常壓氣相外延手段在藍寶石/Ⅲ-Ⅴ族氮化物複閤襯底上異質外延碳化硅薄膜的過程.在C麵(0001)藍寶石上成功地生長齣SiC薄膜.掃描電子顯微鏡顯示薄膜錶麵連續、光滑,證明良好的氮化物緩遲層對碳化硅薄膜異質生長具有重要的意義,同時在錶麵髮現直徑為1～10 μm的六角形缺陷.對缺陷麵密度與工藝參數的關繫進行瞭分析,併對缺陷產生的機理進行瞭探討,認為反應產生物的腐蝕是產生六角形缺陷的來源.
토론료인입Ⅲ-Ⅴ족담화물위람보석여탄화규중간적완충층,용상압기상외연수단재람보석/Ⅲ-Ⅴ족담화물복합츤저상이질외연탄화규박막적과정.재C면(0001)람보석상성공지생장출SiC박막.소묘전자현미경현시박막표면련속、광활,증명량호적담화물완충층대탄화규박막이질생장구유중요적의의,동시재표면발현직경위1～10 μm적륙각형결함.대결함면밀도여공예삼수적관계진행료분석,병대결함산생적궤리진행료탐토,인위반응산생물적부식시산생륙각형결함적래원.
