北京师范大学学报(自然科学版)
北京師範大學學報(自然科學版)
북경사범대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF BEIJING NORMAL UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2002年
2期
211-213
,共3页
李科%杨茹%李国辉%彭长四%李永康
李科%楊茹%李國輝%彭長四%李永康
리과%양여%리국휘%팽장사%리영강
雪崩光电二极管%Ge/Si%分子束外延%X光双晶衍射%透射电镜
雪崩光電二極管%Ge/Si%分子束外延%X光雙晶衍射%透射電鏡
설붕광전이겁관%Ge/Si%분자속외연%X광쌍정연사%투사전경
为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在n-Si衬底上用B+ 注入和分子束外延(MBE)2种方法分别形成p-Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的p-n结特性做了分析比较,得到的结论是:Ge膜的单晶质量、电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜;但p-n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的.
為瞭剋服Ge雪崩光電二極管(APD)中因Ge的電子與空穴的踫撞離化繫數相差不大帶來的的較大譟聲的缺點,擬研製一種新的器件--Ge/Si的吸收倍增分離雪崩光電二極管(SAM-APD). 先在n-Si襯底上用B+ 註入和分子束外延(MBE)2種方法分彆形成p-Si,然後用MBE的方法在其上外延一層Ge膜.利用透射電鏡、X光雙晶衍射、Hall剝層測量等方法對Ge膜的單晶質量、電特性以及材料的p-n結特性做瞭分析比較,得到的結論是:Ge膜的單晶質量、電特性都比較好,直接生長的Ge膜的質量要優于經離子註入的Ge膜;但p-n結特性卻是經離子註入的要好于直接生長的.
위료극복Ge설붕광전이겁관(APD)중인Ge적전자여공혈적팽당리화계수상차불대대래적적교대조성적결점,의연제일충신적기건--Ge/Si적흡수배증분리설붕광전이겁관(SAM-APD). 선재n-Si츤저상용B+ 주입화분자속외연(MBE)2충방법분별형성p-Si,연후용MBE적방법재기상외연일층Ge막.이용투사전경、X광쌍정연사、Hall박층측량등방법대Ge막적단정질량、전특성이급재료적p-n결특성주료분석비교,득도적결론시:Ge막적단정질량、전특성도비교호,직접생장적Ge막적질량요우우경리자주입적Ge막;단p-n결특성각시경리자주입적요호우직접생장적.
