半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
1期
38-42
,共5页
柯见洪%郑亦庄%池贤兴%程新红
柯見洪%鄭亦莊%池賢興%程新紅
가견홍%정역장%지현흥%정신홍
多孔硅%光致发光光谱%波峰蓝移
多孔硅%光緻髮光光譜%波峰藍移
다공규%광치발광광보%파봉람이
通过阳极氧化电化学方法制备了多孔硅,并在室温下对不同条件下制得的多孔硅光致发光谱(PL谱)进行系统的分析.结果表明,随着阳极电流密度、阳极化溶液浓度和时间的增大,多孔硅的PL谱峰将发生"蓝移",并且PL峰强也显著增加,但过大的电流密度、阳极化溶液浓度和时间将导致PL峰强下降.另外,还发现PL谱存在多峰结构,而多孔硅在空气中放置时间的延长将引起其PL的短波峰"蓝移"和强度下降,但对长波峰只引起强度减弱,并不影响其峰位.PL谱的多峰结构可以认为是由于样品中同时存在"树枝"状和"海绵"状两种微观结构所产生的,在这个假设下,用多孔硅氧化后发光中心从硅表面移到二氧化硅层及量子限制模型能够解释上述现象.
通過暘極氧化電化學方法製備瞭多孔硅,併在室溫下對不同條件下製得的多孔硅光緻髮光譜(PL譜)進行繫統的分析.結果錶明,隨著暘極電流密度、暘極化溶液濃度和時間的增大,多孔硅的PL譜峰將髮生"藍移",併且PL峰彊也顯著增加,但過大的電流密度、暘極化溶液濃度和時間將導緻PL峰彊下降.另外,還髮現PL譜存在多峰結構,而多孔硅在空氣中放置時間的延長將引起其PL的短波峰"藍移"和彊度下降,但對長波峰隻引起彊度減弱,併不影響其峰位.PL譜的多峰結構可以認為是由于樣品中同時存在"樹枝"狀和"海綿"狀兩種微觀結構所產生的,在這箇假設下,用多孔硅氧化後髮光中心從硅錶麵移到二氧化硅層及量子限製模型能夠解釋上述現象.
통과양겁양화전화학방법제비료다공규,병재실온하대불동조건하제득적다공규광치발광보(PL보)진행계통적분석.결과표명,수착양겁전류밀도、양겁화용액농도화시간적증대,다공규적PL보봉장발생"람이",병차PL봉강야현저증가,단과대적전류밀도、양겁화용액농도화시간장도치PL봉강하강.령외,환발현PL보존재다봉결구,이다공규재공기중방치시간적연장장인기기PL적단파봉"람이"화강도하강,단대장파봉지인기강도감약,병불영향기봉위.PL보적다봉결구가이인위시유우양품중동시존재"수지"상화"해면"상량충미관결구소산생적,재저개가설하,용다공규양화후발광중심종규표면이도이양화규층급양자한제모형능구해석상술현상.