半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
7期
846-852
,共7页
WNi/半导体接触%光弹效应%InGaAsP/InP双异质结构%平面型波导器件
WNi/半導體接觸%光彈效應%InGaAsP/InP雙異質結構%平麵型波導器件
WNi/반도체접촉%광탄효응%InGaAsP/InP쌍이질결구%평면형파도기건
从理论上计算了厚度为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布,及由应力场分布引起的折射率变化.在W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下半导体中0.2-2μm深度范围内,由应变引起条形波导轴中央的介电常数ε相应增加2.3×10-1-2.2×10-2(2μm应变条宽)和1.2×10-1-4.1×10-2(4μm应变条宽).同时,测量了由W0.95Ni0.05金属薄膜应变条所形成的InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布.从理论计算和实验结果两方面证实了InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构对侧向光具有良好的限制作用.
從理論上計算瞭厚度為110nm的W0.95Ni0.05金屬薄膜應變條在InGaAsP/InP雙異質結構中形成的應力場分佈,及由應力場分佈引起的摺射率變化.在W0.95Ni0.05金屬薄膜應變條下半導體中0.2-2μm深度範圍內,由應變引起條形波導軸中央的介電常數ε相應增加2.3×10-1-2.2×10-2(2μm應變條寬)和1.2×10-1-4.1×10-2(4μm應變條寬).同時,測量瞭由W0.95Ni0.05金屬薄膜應變條所形成的InGaAsP/InP雙異質結光彈效應波導結構導波的近場光模分佈.從理論計算和實驗結果兩方麵證實瞭InGaAsP/InP雙異質結光彈效應波導結構對側嚮光具有良好的限製作用.
종이론상계산료후도위110nm적W0.95Ni0.05금속박막응변조재InGaAsP/InP쌍이질결구중형성적응력장분포,급유응력장분포인기적절사솔변화.재W0.95Ni0.05금속박막응변조하반도체중0.2-2μm심도범위내,유응변인기조형파도축중앙적개전상수ε상응증가2.3×10-1-2.2×10-2(2μm응변조관)화1.2×10-1-4.1×10-2(4μm응변조관).동시,측량료유W0.95Ni0.05금속박막응변조소형성적InGaAsP/InP쌍이질결광탄효응파도결구도파적근장광모분포.종이론계산화실험결과량방면증실료InGaAsP/InP쌍이질결광탄효응파도결구대측향광구유량호적한제작용.
