CAJ | 학술논문

万方数据

半导体学报 반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年 6期 721-725 ,共5页

缪中林%陆卫%陈平平%李志锋%刘平%袁先漳%蔡炜颖%徐文兰%沈学础%陈昌明%朱德彰%胡军%李明乾

무중림%륙위%진평평%리지봉%류평%원선장%채위영%서문란%침학출%진창명%주덕창%호군%리명건

非对称耦合双量子阱(ACDQW)%组合注入%光调制反射光谱(PR)%界面混合非對稱耦閤雙量子阱(ACDQW)%組閤註入%光調製反射光譜(PR)%界麵混閤
비대칭우합쌍양자정(ACDQW)%조합주입%광조제반사광보(PR)%계면혼합

用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱单元,在未经快速热退火的条件下,于常温下测量了光调制反射光谱,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80meV.
용분자속외연계통(MBE)생장료GaAs/AlGaAs비대칭우합쌍양자정(ACDQW),용조합리자주입적방법,재동일괴츤저상획득료불동주입리자As+、H+화불동주입제량적GaAs/AlGaAs비대칭우합쌍양자정단원,재미경쾌속열퇴화적조건하,우상온하측량료광조제반사광보,발현각단원적자대간약천능량최대변화범위가체80meV.