发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2005年
4期
502-506
,共5页
王小波%刘渝珍%奎热西%董立军%陈大鹏
王小波%劉渝珍%奎熱西%董立軍%陳大鵬
왕소파%류투진%규열서%동립군%진대붕
纳米硅镶嵌结构%SiNx膜%光致发光%低压化学气相沉积
納米硅鑲嵌結構%SiNx膜%光緻髮光%低壓化學氣相沉積
납미규양감결구%SiNx막%광치발광%저압화학기상침적
低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1～3个高强度的可见荧光.在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比时,所得薄膜表现出不同的荧光属性,荧光峰的峰位和数目有着显著的变化.通过TEM、IR、XPX等分析手段对其原因进行了研究分析,认为不同配比下,生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同,这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱.
低壓化學氣相沉積製備的納米硅鑲嵌結構的a-SiNx:H薄膜,在3.75 eV的激光激髮下,室溫下髮射1～3箇高彊度的可見熒光.在相同的沉積溫度下(900℃),選擇不同的SiH2Cl2和NH3氣體配比時,所得薄膜錶現齣不同的熒光屬性,熒光峰的峰位和數目有著顯著的變化.通過TEM、IR、XPX等分析手段對其原因進行瞭研究分析,認為不同配比下,生成的薄膜中缺陷態的種類和密度有所不同,這影響瞭其PL峰箇數及其各峰的相對彊弱.
저압화학기상침적제비적납미규양감결구적a-SiNx:H박막,재3.75 eV적격광격발하,실온하발사1～3개고강도적가견형광.재상동적침적온도하(900℃),선택불동적SiH2Cl2화NH3기체배비시,소득박막표현출불동적형광속성,형광봉적봉위화수목유착현저적변화.통과TEM、IR、XPX등분석수단대기원인진행료연구분석,인위불동배비하,생성적박막중결함태적충류화밀도유소불동,저영향료기PL봉개수급기각봉적상대강약.
