物理学报
物理學報
물이학보
2006年
5期
2606-2612
,共7页
叶超%宁兆元%辛煜%王婷婷%俞笑竹
葉超%寧兆元%辛煜%王婷婷%俞笑竹
협초%저조원%신욱%왕정정%유소죽
SiCOH薄膜%Si-OH结构%介电性能%ECR放电等离子体
SiCOH薄膜%Si-OH結構%介電性能%ECR放電等離子體
SiCOH박막%Si-OH결구%개전성능%ECR방전등리자체
研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si-OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si-OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si-OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小带来的介电常数降低,导致总的介电常数k增大.高Si-OH含量下漏电流的降低是由于封端的Si-OH基团降低了薄膜中Si-O网络的连通概率p而导致网络电导下降的缘故.介电色散的增强与Si-OH封端结构的快极化过程有关.改变放电参数以提高电子能量,从而提高源的电离程度,使更多的Si-OH基团断裂并通过缩合反应形成Si-O-Si网络,可以进一步降低薄膜的介电常数.
研究瞭十甲基環五硅氧烷(D5)的電子迴鏇共振等離子體沉積的SiCOH薄膜中Si-OH基糰對介電性能和漏電流的影響.結果錶明Si-OH含量的增大會導緻介電常數k的增大、漏電流的降低和介電色散的增彊.由于Si-OH結構的彊極化補償瞭薄膜密度減小帶來的介電常數降低,導緻總的介電常數k增大.高Si-OH含量下漏電流的降低是由于封耑的Si-OH基糰降低瞭薄膜中Si-O網絡的連通概率p而導緻網絡電導下降的緣故.介電色散的增彊與Si-OH封耑結構的快極化過程有關.改變放電參數以提高電子能量,從而提高源的電離程度,使更多的Si-OH基糰斷裂併通過縮閤反應形成Si-O-Si網絡,可以進一步降低薄膜的介電常數.
연구료십갑기배오규양완(D5)적전자회선공진등리자체침적적SiCOH박막중Si-OH기단대개전성능화루전류적영향.결과표명Si-OH함량적증대회도치개전상수k적증대、루전류적강저화개전색산적증강.유우Si-OH결구적강겁화보상료박막밀도감소대래적개전상수강저,도치총적개전상수k증대.고Si-OH함량하루전류적강저시유우봉단적Si-OH기단강저료박막중Si-O망락적련통개솔p이도치망락전도하강적연고.개전색산적증강여Si-OH봉단결구적쾌겁화과정유관.개변방전삼수이제고전자능량,종이제고원적전리정도,사경다적Si-OH기단단렬병통과축합반응형성Si-O-Si망락,가이진일보강저박막적개전상수.
