红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2008年
4期
594-597
,共4页
张小雷%孙维国%鲁正雄%张亮%赵岚%孟超%丁嘉欣
張小雷%孫維國%魯正雄%張亮%趙嵐%孟超%丁嘉訢
장소뢰%손유국%로정웅%장량%조람%맹초%정가흔
HglnTe%ITO%肖特基接触%欧姆接触%响应光谱
HglnTe%ITO%肖特基接觸%歐姆接觸%響應光譜
HglnTe%ITO%초특기접촉%구모접촉%향응광보
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物.在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率.为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等离子增强化学气相沉积在碲铟汞表面形成氧化层.运用直流平面磁控溅射技术和热电子蒸发技术分别在单晶HgInTe表面形成了ITO(SnO2+In2O3)/HgInTe和In/HgInTe接触,利用I-V测试仪对其I-V特性进行测量,运用能带结构和异质结理论对测量的,I-V结果进行了描述,测量结果符合热电子发射理论.结果表明:ITO/HgInTe形成具有整流特性的肖特基接触,通过计算得到了ITO/HglnTe的肖特基势垒高度为0.506 eV,理想因子n为3.2,串联电阻Rs为2 600 Ω;In/HgInTe形成欧姆接触.并且发现了在波长1.55 μm处有很好的响应光谱,同时室温下峰值探测率D*λ达到了1011cm·Hz1/2·W-1.
碲銦汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化閤物,被稱為缺陷相化閤物.在錶麵運用透明電極可以得到很高的量子效率.為瞭剋服形成肖特基後漏電流過大的影響,運用等離子增彊化學氣相沉積在碲銦汞錶麵形成氧化層.運用直流平麵磁控濺射技術和熱電子蒸髮技術分彆在單晶HgInTe錶麵形成瞭ITO(SnO2+In2O3)/HgInTe和In/HgInTe接觸,利用I-V測試儀對其I-V特性進行測量,運用能帶結構和異質結理論對測量的,I-V結果進行瞭描述,測量結果符閤熱電子髮射理論.結果錶明:ITO/HgInTe形成具有整流特性的肖特基接觸,通過計算得到瞭ITO/HglnTe的肖特基勢壘高度為0.506 eV,理想因子n為3.2,串聯電阻Rs為2 600 Ω;In/HgInTe形成歐姆接觸.併且髮現瞭在波長1.55 μm處有很好的響應光譜,同時室溫下峰值探測率D*λ達到瞭1011cm·Hz1/2·W-1.
제인홍Hg3In2Te6시(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)적화합물,피칭위결함상화합물.재표면운용투명전겁가이득도흔고적양자효솔.위료극복형성초특기후루전류과대적영향,운용등리자증강화학기상침적재제인홍표면형성양화층.운용직류평면자공천사기술화열전자증발기술분별재단정HgInTe표면형성료ITO(SnO2+In2O3)/HgInTe화In/HgInTe접촉,이용I-V측시의대기I-V특성진행측량,운용능대결구화이질결이론대측량적,I-V결과진행료묘술,측량결과부합열전자발사이론.결과표명:ITO/HgInTe형성구유정류특성적초특기접촉,통과계산득도료ITO/HglnTe적초특기세루고도위0.506 eV,이상인자n위3.2,천련전조Rs위2 600 Ω;In/HgInTe형성구모접촉.병차발현료재파장1.55 μm처유흔호적향응광보,동시실온하봉치탐측솔D*λ체도료1011cm·Hz1/2·W-1.
