人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2009年
3期
597-601
,共5页
马德营%李佩旭%夏伟%李树强%汤庆敏%张新%任忠祥%徐现刚
馬德營%李珮旭%夏偉%李樹彊%湯慶敏%張新%任忠祥%徐現剛
마덕영%리패욱%하위%리수강%탕경민%장신%임충상%서현강
窗口结构%Zn扩散%热阻%AlGaInP%半导体激光器
窗口結構%Zn擴散%熱阻%AlGaInP%半導體激光器
창구결구%Zn확산%열조%AlGaInP%반도체격광기
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000 μm、条宽150 μm的宽面半导体激光器.采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD).透明窗口结构激光器最大连续输出功率为3.7 W,是正常结构的激光器COD饱和功率的4.4倍.激光器的特征温度T0为68 K,热阻为4.6 K/W.在热沉温度为20 ℃时进行了500 mW恒功率老化,老化时间为1000 h.
本文採用低壓金屬有機化學氣相沉積繫統(LP-MOCVD)生長齣Mg摻雜壓應變分彆限製多量子阱結構的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,製作齣腔長1000 μm、條寬150 μm的寬麵半導體激光器.採用選擇性Zn擴散在管芯兩耑麵區製作齣透明窗口結構來提高器件的腔麵光災變閾值(COD).透明窗口結構激光器最大連續輸齣功率為3.7 W,是正常結構的激光器COD飽和功率的4.4倍.激光器的特徵溫度T0為68 K,熱阻為4.6 K/W.在熱沉溫度為20 ℃時進行瞭500 mW恆功率老化,老化時間為1000 h.
본문채용저압금속유궤화학기상침적계통(LP-MOCVD)생장출Mg참잡압응변분별한제다양자정결구적AlGaInP/GaInP 660 nm LD외연재료,제작출강장1000 μm、조관150 μm적관면반도체격광기.채용선택성Zn확산재관심량단면구제작출투명창구결구래제고기건적강면광재변역치(COD).투명창구결구격광기최대련속수출공솔위3.7 W,시정상결구적격광기COD포화공솔적4.4배.격광기적특정온도T0위68 K,열조위4.6 K/W.재열침온도위20 ℃시진행료500 mW항공솔노화,노화시간위1000 h.
