量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2010年
4期
474-479
,共6页
材料%SiOx薄膜%热氧化%X射线光电子能谱%4H-SiC
材料%SiOx薄膜%熱氧化%X射線光電子能譜%4H-SiC
재료%SiOx박막%열양화%X사선광전자능보%4H-SiC
采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiOx)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiOx薄膜和SiOx/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其相应的结合能,以及分析SiOx层中各主要元素随不同深度的组分变化情况,从而获得该热氧化SiOx薄膜的化学组成和化学态结构,并更好地了解其构成情况以及SiOx/4H-SiC的界面性质.
採用掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)和X射線光電子能譜(XPS)測試方法對4H-SiC上熱氧化生長的氧化硅(SiOx)薄膜錶麵形貌進行觀測,併分析研究SiOx薄膜和SiOx/4H-SiC界麵的相關性質,包括擬閤Si2p、O1s和C1s的XPS譜線和分析其相應的結閤能,以及分析SiOx層中各主要元素隨不同深度的組分變化情況,從而穫得該熱氧化SiOx薄膜的化學組成和化學態結構,併更好地瞭解其構成情況以及SiOx/4H-SiC的界麵性質.
채용소묘전자현미경(SEM)、원자력현미경(AFM)화X사선광전자능보(XPS)측시방법대4H-SiC상열양화생장적양화규(SiOx)박막표면형모진행관측,병분석연구SiOx박막화SiOx/4H-SiC계면적상관성질,포괄의합Si2p、O1s화C1s적XPS보선화분석기상응적결합능,이급분석SiOx층중각주요원소수불동심도적조분변화정황,종이획득해열양화SiOx박막적화학조성화화학태결구,병경호지료해기구성정황이급SiOx/4H-SiC적계면성질.
