功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2011年
2期
322-324
,共3页
王如%杨瑞霞%张俊玲%徐永宽
王如%楊瑞霞%張俊玲%徐永寬
왕여%양서하%장준령%서영관
ZnO缓冲层%晶格失配%三维岛状生长%射频磁控溅射
ZnO緩遲層%晶格失配%三維島狀生長%射頻磁控濺射
ZnO완충층%정격실배%삼유도상생장%사빈자공천사
采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能.实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了(0002)单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高宽(FWHM)为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带.
採用射頻磁控濺射法製備齣瞭適用于HVPE-GaN厚膜生長的ZnO緩遲層,利用X射線衍射(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)和光緻髮光(PL)等分析方法錶徵瞭ZnO緩遲層以及HVPE-GaN厚膜的晶體性能.實驗結果錶明,採用濺射功率為60W、氬氣壓彊為2.0Pa、藍寶石襯底為室溫條件下的濺射工藝穫得瞭(0002)單一取嚮、晶界清晰、晶粒呎吋均一的ZnO薄膜,以它為緩遲層穫得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高寬(FWHM)為265secarc,室溫PL譜未見明顯黃光髮射帶.
채용사빈자공천사법제비출료괄용우HVPE-GaN후막생장적ZnO완충층,이용X사선연사(XRD)화원자력현미경(AFM)화광치발광(PL)등분석방법표정료ZnO완충층이급HVPE-GaN후막적정체성능.실험결과표명,채용천사공솔위60W、아기압강위2.0Pa、람보석츤저위실온조건하적천사공예획득료(0002)단일취향、정계청석、정립척촌균일적ZnO박막,이타위완충층획득적GaN후막XRD적(0002)연사봉반고관(FWHM)위265secarc,실온PL보미견명현황광발사대.
